碳化硅 生产设备
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
2023年4月26日 目，意法半导体、丰田集团和 电装集团等已实现 HTCVD 规模化生产碳化硅晶体，国内江苏超芯星已 研制出 HTCVD 碳化硅单晶生长设备。 TSSG法有望成为制
进一步探索
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎碳化硅行业深度报告：碳化硅衬底：新能源车+光伏
提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划
2023年7月17日 在未来，博世作为唯一一家自主生产碳化硅芯片的汽车零部件供应商，计划使用200毫米晶圆制造碳化硅半导体。相比于如今使用的150毫米晶圆，使用200毫米晶
中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破 知乎
2023年4月19日 图：中电科48所SiC外延生长设备 碳化硅外延生长炉，主要用于在碳化硅晶圆衬底上生长同质外延材料，每一颗碳化硅芯片都是基于外延层制造的结晶。48所技术
造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_中国
2023年5月21日 SiC产业链关键环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节。 SiC单晶衬底 环节通常涉及到高纯碳化硅粉体
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
2022年12月15日 环球晶董事长徐秀兰也在6月21日举办的股东会上表示，环球晶决定新增制造设备项目，规划自行设计生产碳化硅长晶炉设备，以强化产品的可控因素。 徐秀兰还
本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎专栏
2021年10月15日 据报道，项目计划投资建设碳化硅（SiC）功率器件生产研发中心，一期占地50亩，包含6英寸的碳化硅功率器件生产线与工艺研发平台，预计2021年设备进场安
碳化硅产业链深度解析（全网最全独家） 碳化硅产业链深度
2023年2月4日 英杰电气：为碳化硅制造设备配套电源 盛美半导体： 推出新型化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备。这是该公司第一款Post-CMP清洗设备，可用于制造高质量
碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
2022年3月7日 1、长晶 长晶环节中，和单晶硅使用的提拉法工艺制备不同，碳化硅主要采用物理气相输运法（PVT，也称为改良的Lely法或籽晶升华法），高温化学气相沉积法（HTCVD）作为补充。 核心步骤大致分为：
国内第三代半导体厂商（碳化硅） 知乎
2019年2月22日 2018年11月13日，岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。. 据悉，岳碳化硅材料项目由山东岳
江苏星特亮科技有限公司（官方网站）延安星特亮科创有限
延安星特亮科创有限公司致力于人工晶体生长设备和闪烁晶体材料的研发、生产和销售；主要产品有碳化硅单晶炉、碳化硅籽晶粘接炉、碳化硅单晶热处理炉、下降炉、直拉单晶炉等；闪烁晶体材料主要产品有1"—8"、1L—4L碘化钠（铊）系列晶体、溴化镧晶体、碘化铯晶体和探测器；公司现有核心
国内碳化硅半导体企业大盘点 知乎
2020年4月5日 目，公司已建成完整的碳化硅衬底生产 线，是国内著名的碳化硅衬底生产企业。中科集团2所 中科集团二所成立于1962年，是专业从事电子先进制造技术研究和电子专用设备研发制造的国家级研究所。目，二所已形成以液晶显示器件生产设备
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。
碳化硅器件目有什么生产难点？？ 知乎
2020年6月16日 包括晶圆、器件、工艺（溅射、光刻、刻蚀等等）有相关的文献推荐一下嘛？逆变器中碳化硅和硅对成本的影响 对于SiC引入电动汽车的优势，意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部区域营销和应用副总裁Francesco Muggeri认为：“最重要的是SiC MOSFET在牵引逆变器方面的优势，且在电动汽车制造中
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。比如，当主流的生产 现在不是有了碳化硅（SiC）等第三代半导体器件吗？但是，虽然SiC 器件的特性比硅好了很多，但是应用中仍有许多新的问题要解决。应用SiC 10年的
【全网最全】 2022年中国碳化硅行业上市公司全方位对比(附
2022年7月11日 1、碳化硅产业上市公司汇总. 碳化硅行业在产业链中处于中上游环节，下游主要服务于新能源汽车、5G通信等行业，以满足产业需求。. 在碳化硅芯片制造环节，岳先进是碳化硅行业的主要企业之一，围绕碳化硅衬底进行垂直深入的研究与生产。. 注：5颗星为
中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎
2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态两种商业模式 以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成
工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
2020年12月8日 目全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为
造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_中国
2023年5月21日 碳化硅器件生产各工艺环节关键设备 由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注入、退火激活、栅氧
中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追_新浪
2022年1月13日 国外的Dow Corning、Wolfspeed、ETC以及国内的瀚成、域半导体和中国电科等碳化硅外延片制造商使用的设备 均来源于这四家公司。图表20：SiC外延
小议碳化硅的国产化 知乎
2020年10月19日 设备方面：碳化硅生产的高端设备 ，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导
SiC 衬底——产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速发展
2021年11月24日 随 着衬底加工设备、清洗设备和测试设备的逐步到位及加工工艺优化，合肥工厂 9 月份基本可实现 6 英寸导电型碳化硅衬底片的小批量生产。 同时报告期内公司大幅增加碳化硅业务的研发投入，研发费用
碳化硅外延设备_产品与技术_纳设智能官方网站 Naso Tech
碳化硅化学气相沉积外延设备 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主创新的碳化硅外延
碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 转载自：信熹
2021年12月4日 碳化硅陶瓷已经被广泛应用于制造高温轴承、防弹板、火箭喷管、燃气轮机叶片、高温耐蚀部件、高温和高频范围的电子设备零部件等。 以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍。
半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 知乎
2020年6月16日 半导体制造之设备篇. 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学
2020年8月21日 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化
碳化硅（SiC）衬底，未来大哥是谁！ 两写了篇文章
2021年11月28日 两写了篇文章 碳化硅（SIC）为什么就一片难求 ！{碳化硅（SIC）为什么就一片难求 ！}简单介绍了一下三代半导体中碳化硅的大致情况。即使在2001年，英飞凌就已经生产出来碳化硅的功率半导体，距今过去了20年了，但目阶段依然
碳化硅芯片怎么制造？ 知乎
2021年8月4日 碳化硅芯片这样制造 新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下
预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模
2022年7月17日 碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界